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半导体研究所 [28]
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期刊论文 [26]
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学科主题
半导体物理 [28]
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学科主题:半导体物理
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Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of MnAs epilayer grown on GaAs (110)
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.125
作者:
Chen L
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浏览/下载:36/1
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提交时间:2011/07/05
MAGNETIC-PROPERTIES
GAAS(001)
FILMS
ORDER
NANOCLUSTERS
EPITAXY
Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Yang, JK
;
Zeng, YP
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/08
HVPE
GaN
sapphire
nonpolar
semipolar
Oxygen pressure dependences of structure and properties of ZnO films deposited on amorphous glass substrates by pulsed laser deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 2225-2229 part 1
Zhu, BL
;
Zhao, XZ
;
Xu, S
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
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浏览/下载:42/2
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提交时间:2010/03/08
laser ablation
zinc oxide
deposition process
optical properties
electrical properties and measurements
The fabrication of self-aligned InAs nanostructures on GaAs(331)A substrates
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 29-35
Gong Z
;
Fang ZD
;
Xu XH
;
Miao ZH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Feng SL
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Size self-scaling effect in stacked InAs/InAlAs nanowire multilayers
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 21, 页码: 5061-5063
Sun ZZ
;
Yoon SF
;
Wu J
;
Wang ZG
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浏览/下载:119/27
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提交时间:2010/03/09
INAS QUANTUM WIRES
Structural and optical characterization of Zn1-xCdxO thin films deposited by dc reactive magnetron sputtering
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 942-943
Ma DW
;
Ye ZZ
;
Huang JY
;
Zhao BH
;
Wan SK
;
Sun XH
;
Wang ZG
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浏览/下载:386/2
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提交时间:2010/08/12
PHASE EPITAXIAL-GROWTH
PHOTOLUMINESCENT PROPERTIES
SPRAY-PYROLYSIS
ZNO
MGXZN1-XO
Photoluminescence behaviors from stoichiometric gadolinium oxide films
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 7, 页码: 4414-4419
Zhou JP
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song SL
;
Chen NF
;
Lin LY
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浏览/下载:362/14
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提交时间:2010/08/12
INTERFACIAL LAYER FORMATION
GATE DIELECTRICS GD2O3
ION-BEAM
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SILICON
SI
GAAS(100)
CONSTANTS
EUROPIUM
YTTRIUM
Zero-field spin splitting in In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs metamorphic high-electron-mobility-transistor structures on GaAs substrates using Shubnikov-de Haas measurements
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 17, 页码: 3132-3134
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Lin LY
;
Jiang CP
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Guo SL
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Chu JH
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
HETEROSTRUCTURES
HEMTS
B->O
GAS
Rapid thermal annealing effects on step-graded InAlAs buffer layer and In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As metamorphic high electron mobility transistor structures on GaAs substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 2429-2432
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Wang BQ
;
Wu J
;
Zhu ZP
;
Lin LY
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提交时间:2010/08/12
HEMTS
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