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科研机构
半导体研究所 [16]
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期刊论文 [16]
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2010 [1]
2008 [2]
2006 [2]
2003 [1]
2001 [1]
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学科主题
半导体物理 [16]
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学科主题:半导体物理
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Optimization of the Dielectric Layer Thickness for Surface-Plasmon-Induced Light Absorption for Silicon Solar Cells
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2012, 卷号: 51, 期号: 4,part 1, 页码: 42301
Xu, R
;
Wang, XD
;
Liu, W
;
Song, L
;
Xu, XN
;
Ji, A
;
Yang, FH
;
Li, JM
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/03/17
Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires
期刊论文
acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2010/04/22
Twinning
Nanotructures
Fracture
Buckling
Molecular dynamics
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AB-INITIO CALCULATIONS
BETA-SIC NANOWIRES
LOW-TEMPERATURE
THIN-FILMS
SIMULATION
ELASTICITY
NANOTUBES
POLYTYPES
GROWTH
Theory of huge tunneling magnetoresistance in graphene
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 11, 页码: art. no. 113409
Zhai F
;
Chang K
收藏
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浏览/下载:60/29
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提交时间:2010/03/08
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280
Cui, JP
;
Wang, XF
;
Duan, Y
;
He, JX
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
THIN-FILMS
BULK ZNO
SCATTERING
PRESSURE
Optical properties of GaN wurtzite quantum wires
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3107-3115
Zhang XW
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
POLARIZATION ANISOTROPY
ELECTRONIC-STRUCTURE
ZNO NANOWIRES
PHOTOLUMINESCENCE
NANORODS
SPHERES
GROWTH
Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492
Peng CX
;
Weng HM
;
Yang XJ
;
Ye BJ
;
Cheng B
;
Zhou XY
;
Han RD
收藏
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浏览/下载:235/9
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提交时间:2010/04/11
P-TYPE ZNO
THIN-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
SUBSTRATE
VACANCIES
LAYER
BEAM
GAN
Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553
Munoz M
;
Huang YS
;
Pollak FH
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HEXAGONAL GAN
TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
TRANSITIONS
GROWTH
GAIN
ALN
ELLIPSOMETRY
WURTZITE
Microtwins and twin inclusions in the 3C-SiC epilayers grown on Si(001) by APCVD
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Dai ZZ
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:95/12
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提交时间:2010/08/12
3C-SiC
microtwins
X-ray four-circle diffractometer
APCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE
PHASE EPITAXY
THIN-FILMS
GAN
SI
SUBSTRATE
DEFECTS
NITRIDE
MBE
Raman-forbidden mode and oxygen ordering in Bi2Sr2-xLaxCuO6+gamma single crystals annealed in oxygen
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 17, 页码: 11324-11327
作者:
Tan PH
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
INCOMMENSURATE MODULATION
NEUTRON-DIFFRACTION
ACTIVE PHONONS
GLASS-FORMATION
THIN-FILMS
SUPERCONDUCTOR
SCATTERING
YBA2CU3O7-DELTA
BI10SR15FE10O46
ASSIGNMENT
Improvement of photoluminescence of strained SiGe/Si layers on patterned Si substrate
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 255-259
Si JJ
;
Guo LW
;
Yang QQ
;
Gao JH
;
Teng D
;
Zhou JM
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
semiconductors
thin films
luminescence
GROWTH
WELLS
SILICON QUANTUM WIRES
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