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Iii-nitride tunnel junction light emitting diode with wall plug efficiency of over seventy percent 专利
专利号: US20190165213A1, 申请日期: 2019-05-30, 公开日期: 2019-05-30
作者:  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.;  SPECK, JAMES S.;  DENBAARS, STEVEN P.;  NAKAMURA, SHUJI
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Thin film and substrate-removed group III-nitride based devices and method 专利
专利号: US10249786, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02
作者:  BATRES, MAX;  YANG, ZHIHONG;  WUNDERER, THOMAS
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Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element 专利
专利号: EP3336981A1, 申请日期: 2018-06-20, 公开日期: 2018-06-20
作者:  TAKEUCHI, TETSUYA;  AKASAKI, ISAMU;  AKAGI, TAKANOBU
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Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device 专利
专利号: US20180083173A1, 申请日期: 2018-03-22, 公开日期: 2018-03-22
作者:  YAMAMOTO, SHUHICHIROH;  UETA, YOSHIHIRO
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Contact architectures for tunnel junction devices 专利
专利号: WO2018035322A1, 申请日期: 2018-02-22, 公开日期: 2018-02-22
作者:  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.;  FORMAN, CHARLES;  LEONARD, JOHN T.;  LEE, SEUNGGEUN
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Nitride semiconductor light emitting device 专利
专利号: US20160036197A1, 申请日期: 2016-02-04, 公开日期: 2016-02-04
作者:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI
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Devices having removed aluminum nitride sections 专利
专利号: US9064980, 申请日期: 2015-06-23, 公开日期: 2015-06-23
作者:  CHUA, CHRISTOPHER L.;  KRUSOR, BRENT S.;  WUNDERER, THOMAS;  JOHNSON, NOBLE M.
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Nitride semiconductor light-emitting device 专利
专利号: US8437376, 申请日期: 2013-05-07, 公开日期: 2013-05-07
作者:  YOSHIDA, SHINJI;  ORITA, KENJI;  HASEGAWA, YOSHIAKI;  MOCHIDA, ATSUNORI
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N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers 专利
专利号: US20130032836A1, 申请日期: 2013-02-07, 公开日期: 2013-02-07
作者:  CHEN, ZHEN;  FU, YI
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Aluminum nitride transitional layer for reducing dislocation density and cracking of AlGaN epitaxial films 专利
专利号: US8349633, 申请日期: 2013-01-08, 公开日期: 2013-01-08
作者:  ALLERMAN, ANDREW A.;  CRAWFORD, MARY H.;  LEE, STEPHEN R.
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