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| GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
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| GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
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| 无铝半导体激光器结构 专利
专利号: CN104242058A, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2014-12-24
作者: 许并社; 董海亮; 梁建; 马淑芳; 余春艳
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| 利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法 专利
专利号: CN104242059A, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2014-12-24
作者: 梁松; 朱洪亮
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| InGaN/GaN岛形量子阱样品透射电镜制样与表征方法 期刊论文
2014
杨晓东
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| 扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展 期刊论文
材料导报, 2014, 期号: 23, 页码: 28-33
陈芳; 魏志鹏; 刘国军; 唐吉龙; 房丹; 方铉; 高娴; 赵海峰; 王双鹏
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| 超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN102593717B, 申请日期: 2014-12-03, 公开日期: 2014-12-03
作者: 郑钢; 雷军; 李弋; 武德勇
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| 单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法 专利
专利号: CN103094832B, 申请日期: 2014-12-03, 公开日期: 2014-12-03
作者: 张灿; 梁松; 朱洪亮
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| 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器 专利
专利号: CN102545052B, 申请日期: 2014-11-26, 公开日期: 2014-11-26
作者: 崔碧峰; 计伟; 陈京湘; 郭伟玲; 张松
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| 一种量子阱结构的宽谱激光器 专利
专利号: CN104167662A, 申请日期: 2014-11-26, 公开日期: 2014-11-26
作者: 酉伟英
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