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| 近红外宽带发光铒铥共掺铋酸盐激光玻璃及其制备方法 专利 专利号: CN102659313B, 申请日期: 2014-11-26, 公开日期: 2014-11-26 作者: 赵国营; 胡丽丽 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 绝缘阻挡放电等离子体发光光谱的特性 期刊论文 http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200802054&dbname=CJFQ2008, 2014, 2014 李汉明; 李钢; 李英骏; 李玉同; 张翼; 程涛; 聂超群; 张杰 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2017/06/15
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| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利 专利号: CN102668282B, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15 作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 专利 专利号: CN104104012A, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15 作者: 顾溢; 张永刚; 王庶民 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 水污染的社会文化机理探索——人类学学者访谈之五十二 期刊论文 2014, 2014 秦红增; 陈阿江 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2017/06/19
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| 低温燃烧法制备的Ho∶YbGG多晶粉体及其发光性能 期刊论文 发光学报, 2014, 期号: 9, 页码: 1065-1070 孙超; 朱忠丽; 张莹 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2015/04/17
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| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利 专利号: CN102668279B, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10 作者: 善积祐介; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌纪; 片山浩二 收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| TiO2复合半导体及银硫化合物的制备及光催化活性研究 学位论文 博士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2014 作者: 常平静 收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2016/04/27
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| TiO2复合半导体及银硫化合物的制备及光催化活性研究 学位论文 博士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2014 作者: 常平静 收藏  |  浏览/下载:127/0  |  提交时间:2016/05/25
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| 类C到类F铝离子内壳层激发态Ka辐射跃迁过程的研究 会议论文 西宁, 20140805 作者: 桑萃萃; 苟秉聪 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/30
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