| 一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 | |
| 顾溢; 张永刚; 王庶民 | |
| 2014-10-15 | |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 专利号 | CN104104012A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种InP基中红外InAsBi量子阱结构，采用InAsBi作为量子阱结构的势阱层，同时采用与InP匹配的In0.53Ga0.47As或者晶格常数比InP小的InxGa1-xAs、0 |
| 公开日期 | 2014-10-15 |
| 申请日期 | 2014-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90176]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾溢,张永刚,王庶民. 一种InP基中红外InAsBi量子阱结构. CN104104012A. 2014-10-15. |
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