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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 HVPE生长GaN纳米线的研究 学位论文 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  伍绍腾 收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2018/06/20 Gan纳米线  水平生长  光学性质   液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 钟兴儒; 徐自亮; 田金法; 吴金良; 陈诺夫 收藏  |  浏览/下载：76/3  |  提交时间：2009/06/11