| 题名 | HVPE生长GaN纳米线的研究 |
| 作者 | 伍绍腾 |
| 答辩日期 | 2018-06 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 伊晓燕 |
| 关键词 | Gan纳米线 水平生长 光学性质 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2018-06-20 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28648]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伍绍腾. HVPE生长GaN纳米线的研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2018. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论