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上海微系统与信息技... [14]
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期刊论文 [14]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Study on Adhesive Strength between Ge2Sb2Te5 Film and Electrodes for Phase Change Memory Application
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 101601-101601
Liu, YB
;
Zhang, T
;
Zhang, GX
;
Niu, XM
;
Song, ZT
;
Min, GQ
;
Lin, Y
;
Zhang, J
;
Zhou, WM
;
Zhang, JP
;
Chu, JT
;
Wan, YZ
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
CRYSTALLIZATION
RESISTANCE
Micromachining of an SU-8 flapping-wing flying micro-electro-mechanical system
期刊论文
JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2009, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 85028-85028
Dargent, T
;
Bao, XQ
;
Grondel, S
;
Le Brun, G
;
Paquet, JB
;
Soyer, C
;
Cattan, E
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/24
HAWKMOTH MANDUCA-SEXTA
INSECT WINGS
POWER REQUIREMENTS
FLEXURAL STIFFNESS
MUSCLE EFFICIENCY
FRUIT-FLY
FLIGHT
FORCE
AERODYNAMICS
DROSOPHILA
Investigation of compositional gradient phase change SixSb2Te3 thin films
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 1-3, 页码: L70-L73
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, B
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提交时间:2012/03/24
GE2SB2TE5 FILM
CRYSTALLIZATION
IMPLANTATION
RESISTANCE
STORAGE
MEMORY
Effect of structural transformation on the electrical properties for Ge1Sb2Te4 thin film
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2007, 卷号: 516, 期号: 1, 页码: 42-46
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, GM
;
Feng, SL
;
Chen, BM
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/24
PHASE-CHANGE FILM
MEMORY
RESISTANCE
GESBTE
Multilevel data storage characteristics of phase change memory cell with douhlelayer chalcogenide films (Ge(2)Sh(2)Te(5) and Sb2Te3)
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 1-3, 页码: L25-L27
Rao, F
;
Song, ZT
;
Zhong, M
;
Wu, LC
;
Feng, GM
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2012/03/24
GE2SB2TE5 FILMS
COMPOSITES
RESISTANCE
Crystallization and C-RAM application of Ag-doped Sb2Te3 material
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 127, 期号: 2-3, 页码: 228-232
Xu, JQ
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, BM
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/03/24
GE2SB2TE5 FILM
THIN-FILMS
RESISTANCE
STORAGE
MEMORY
Characteristics of Sn-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase-change memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2929-2932
Xu, C
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
ION-BEAM METHOD
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
CELL-ELEMENT
RESISTANCE
IMPLANTATION
TRANSITION
ALLOYS
MEDIA
A new structure of SOI MOSFET for reducing self-heating effect
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2004, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 1289-1293
Zhang, ZX
;
Lin, Q
;
Zhu, M
;
Lin, CL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
RESISTANCE
Numerical study of self-heating effects of MOSFETs fabricated on SOAN substrate
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2004, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 901-906
Zhu, M
;
Chen, P
;
Fu, RKY
;
An, ZH
;
Lin, CL
;
Chu, PK
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/03/24
FILM
RESISTANCE
INSULATOR
Kondo-type transport through a quantum dot under magnetic fields
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2001, 卷号: 63, 期号: 23, 页码: 235306-235306
Dong, B
;
Lei, XL
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR
ANDERSON MODEL
FINITE-U
EQUILIBRIUM
IMPURITY
APPROXIMATION
CONDUCTANCE
TEMPERATURE
SYSTEM
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