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一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器 专利
专利号: CN106356716B, 申请日期: 2018-12-18, 公开日期: 2018-12-18
作者:  刘震;  王嘉琪;  于红艳;  周旭亮;  李召松
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一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者:  高建峰;  白国斌;  殷华湘;  李俊峰;  赵超
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基于纳米银导电墨水的无源电路喷印工艺研究 学位论文
沈阳: 中国科学院沈阳自动化研究所, 2018
作者:  程晓鼎
收藏  |  浏览/下载:48/0  |  提交时间:2018/12/16
一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法 专利
专利号: CN201610033601.1, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2016-06-15
作者:  孟令款;  徐秋霞;  闫江
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/03/26
减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者:  史敬元;  彭松昂;  金智;  张大勇
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/03/07
一种电子束整形器 专利
专利号: CN201811375963.4, 申请日期: 2018-11-19, 公开日期: 2019-02-22
作者:  蔡承;  张志军;  王超
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一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201610306272.3, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-07-20
作者:  彭松昂;  金智;  王少青;  毛达诚;  史敬元
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赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法 专利
专利号: CN201510226906.X, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2015-09-09
作者:  卢年端;  李泠;  刘明;  高南;  徐光伟
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一种平面型IGBT结构的制备方法 专利
专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04
作者:  卢烁今;  赵佳;  朱阳军;  陆江;  田晓丽
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小型条纹管数值模拟及实验研究 期刊论文
物理学报, 2018, 卷号: 67, 期号: 18
作者:  田丽萍;  李立立;  温文龙;  王兴;  陈萍
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