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| 金属栅电极等效功函数调节方法 专利
专利号: US9831089, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2015-02-05
作者: 王文武 ; 杨红; 罗维春; 闫江
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| 一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法 专利
专利号: CN107240544A, 申请日期: 2017-10-10, 公开日期: 2017-10-10
作者: 梁凌燕; 吴卫华; 曹鸿涛; 肖鹏; 宋安然
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| 具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用 专利
专利号: CN106847817A, 申请日期: 2017-06-13, 公开日期: 2017-06-13
作者: 竺立强; 刘阳辉; 万昌锦; 肖惠
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310282657.7, 申请日期: 2017-05-24, 公开日期: 2015-01-14
作者: 叶甜春; 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑
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| 一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法 专利
专利号: CN201310145993.7, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2014-10-29
作者: 刘明; 霍宗亮
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| 日冕能量中性原子编码调制成像方法应用 期刊论文
空间科学学报, 2017, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 361-368
作者: 杨垂柏; 张斌全; 曹光伟; 梁金宝; 路立
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| 高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管 A Novel Fast Collector Trench Insulated Gate Bipolar Transistor 期刊论文
2017, 卷号: 32, 页码: 53-58
作者: 蒋梦轩[1]; 帅智康[2]; 沈征[2]; 王俊[2]; 刘道广[3]
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| 背栅黑磷场效应晶体管的制备及电学特性研究 学位论文
: 江苏大学, 2017
作者: 郑波[1]
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| 高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管 期刊论文
电工技术学报, 2017, 卷号: 第32卷 第24期, 页码: 53-58
作者: 蒋梦轩; 帅智康; 沈征; 王俊; 刘道广
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/31
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| EAST-NBI抑制极电源IGBT串联技术的研究 期刊论文
核技术, 2017, 卷号: 40
作者: 张亚兵; 刘智民; 蒋才超; 刘胜; 陈世勇
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