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	高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管 A Novel Fast Collector Trench Insulated Gate Bipolar Transistor
	蒋梦轩[1]; 帅智康[2]; 沈征[2]; 王俊[2]; 刘道广[3]
	2017
卷号	32页码:53-58
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3047415
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	蒋梦轩[1],帅智康[2],沈征[2],等. 高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管 A Novel Fast Collector Trench Insulated Gate Bipolar Transistor[J],2017,32:53-58.
APA	蒋梦轩[1],帅智康[2],沈征[2],王俊[2],&刘道广[3].(2017).高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管 A Novel Fast Collector Trench Insulated Gate Bipolar Transistor.,32,53-58.
MLA	蒋梦轩[1],et al."高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管 A Novel Fast Collector Trench Insulated Gate Bipolar Transistor".32(2017):53-58.

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