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纳米电子学方法在III-V族半导体光电功能结构中的应用研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  殷豪
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器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响 期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者:  江德生;  朱建军;  张书明;  邓懿;  吴亮亮
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