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半导体研究所 [70]
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专题:半导体研究所
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二维半导体材料的拉曼散射研究
学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
从鑫
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2021/06/17
二维层状过渡金属二硫族化合物的光学性质研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
谭青海
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2018/06/01
二维层状材料
过渡金属二硫族化合物
拉曼光谱
堆垛方式
层间 耦合
共振拉曼散射
暗态激子
Fano共振
缺陷发光 Ii
基于表面增强相干反斯托克斯拉曼散射的理论研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
张祖银
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2016/12/12
表面增强拉曼散射活性基底的研究与制作
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
王立娜
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/06/20
Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain
期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J
;
Tan, PH
;
Zhao, WJ
;
Lu, J
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2012/01/06
Raman spectroscopy
ultrathin Fe(3)O(4) film
crystal orientation
strain
phonon strain-shift coefficient
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
SPIN-TRANSPORT
MAGNETITE
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
SCATTERING
CORROSION
DEVICES
GROWTH
Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
Yang GD
;
Zhu F
;
Dong S
收藏
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浏览/下载:64/2
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提交时间:2011/07/05
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting III-V materials
GASB/MN DIGITAL ALLOYS
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
RAMAN-SCATTERING
MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES
EPITAXIAL LAYERS
THIN-FILMS
SEMICONDUCTORS
STRAIN
MAGNETOELECTRONICS
SPINTRONICS
Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463
Li, TF
;
Chen, YH
;
Lei, W
;
Zhou, XL
;
Luo, S
;
Hu, YZ
;
Wang, LJ
;
Yang, T
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/02/06
RAMAN-SCATTERING
SEMICONDUCTING NANOWIRES
OPTOELECTRONIC DEVICES
PHOSPHIDE NANOWIRES
OPTICAL PHONONS
SILICON
CRYSTALS
SPECTRA
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
收藏
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浏览/下载:58/3
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提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:
Liu XF
;
Yan GG
;
Zheng L
;
Dong L
收藏
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浏览/下载:37/3
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提交时间:2011/07/05
4H-SiC
Raman scattering
LOPC modes
transport properties
SILICON-CARBIDE
LIGHT
GAP
The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2011/07/05
Semiconductors
Raman scattering
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN FREQUENCIES
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
SILICON
SCATTERING
GROWTH
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