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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种基于SCR的集成电路静电保护器件 专利 专利号: CN201210524550.4, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2014-06-11 作者:  王任卿;  陆江;  苏江;  朱阳军 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/03/07 LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法 期刊论文 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 10, 页码: 6，968-973 作者:  杜寰;  刘梦新;  陈蕾;  宋李梅 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/06/01 横向双扩散场效应晶体管  静电放电防护  深漏极注入  击穿现象   SOI LDMOSFET的背栅特性 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 5，2148-2152 作者:  毕津顺;  宋李梅;  海潮和;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅 横向双扩散功率晶体管 背栅效应   一种用于功率IC的新型SPICE宏模型 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 5，229-233 作者:  赵野;  周玉梅;  李海松;  孙伟锋 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/27 功率ic  Spice 宏模型  双扩散mos   全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法 专利 专利号: CN101399227, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-04-01, 2010-11-26 作者:  王立新 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26