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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    发表日期：2008     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Geometric phase of a bipartite system with Dzyaloshinski-Moriya interaction 期刊论文 optics communications, 2008, 卷号: 281, 期号: 20, 页码: 5278-5281 Zhou, Y; Zhang, GF 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/03/08 Berry phase  Heisenberg XXZ chain  DM interaction   Characterization of parasitics from scattering parameters of laser diode 期刊论文 microwave and optical technology letters, 2008, 卷号: 50, 期号: 1, 页码: 1-4 Zhang, SJ; Zhu, NH; Liu, Y; Liu, YZ 收藏  |  浏览/下载：54/2  |  提交时间：2010/03/08 semiconductor lasers  parasitic network  parasitics  scattering parameters   Advances in high power semiconductor diode lasers - art. no. 682402 会议论文 conference on semiconductor lasers and applications iii, beijing, peoples r china, nov 12-13, 2007 Ma, XY; Zhong, L 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/09 laser diodes  laser bar  stacks  high power  power conversion efficiency  reliability  packaging   Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121 Liu, HY; Meng, ZM; Dai, QF; Wu, LJ; Guo, Q; Hu, W; Liu, SH; Lan, S; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2010/03/08 ENERGY RELAXATION  ELECTRON RELAXATION  CAPTURE  PHONON  INAS  GAAS  TEMPERATURE  DEPENDENCE  DENSITY  TIME   Evolution of Ge and SiGe quantum dots under excimer laser annealing 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 242-245 Han GQ; Zeng YG; Yu JZ; Cheng BW; Yang HT 收藏  |  浏览/下载：81/2  |  提交时间：2010/03/08