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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：88/41  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON-TRANSPORT  BAND-GAP  FILMS  SAPPHIRE