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三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:  张晋新1;  王信2;  郭红霞2,3
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一种在n型4H/6H-SiC硅面上制备周期性石墨烯PN结的方法 专利
申请日期: 2019-05-28, 公开日期: 2019-05-28
作者:  陈秀芳;  秦笑;  徐现刚;  李妍璐;  赵显
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基于CMOS工艺的PN结型非制冷红外探测器联合仿真设计及验证 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者:  薛惠琼
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半导体激光器驱动电路 专利
专利号: CN208571225U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
作者:  徐迎彬
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料 专利
专利号: 201610183745.5, 申请日期: 2019-02-12,
作者:  王振华;  张志东;  李名泽;  杨亮;  赵晓天;  高翾
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/03/01
基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真 期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 42-48
作者:  林虹宇;  谢浩;  王洋;  陆宏波;  孙艳
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/11/13
点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16, 页码: 76-90
作者:  谢修华;  李炳辉;  张振中;  刘雷;  刘可为
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/08/24
一种半导体激光器件及其制作方法 专利
专利号: CN108923256A, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2018-11-30
作者:  胡海;  何晋国
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
一种SOIMOSFET器件的建模方法 专利
专利号: CN201510303560.9, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2015-09-30
作者:  卜建辉;  罗家俊;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/03/01
一种基于SCR的集成电路静电保护器件 专利
专利号: CN201210524550.4, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2014-06-11
作者:  
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