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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low specific on-resistance GaN-based vertical heterostructure field effect transistors with nonuniform doping superjunctions 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27 作者:  Mao, Wei;  Wang, Hai-Yong;  Shi, Peng-Hao;  Wang, Xiao-Fei;  Du, Ming 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/19 breakdown voltage  nonuniform doping superjunctions  GaN-based vertical HFETs  minimized specific on-resistance   Low specific on-resistance GaN-based vertical heterostructure field effect transistors with nonuniform doping superjunctions. 会议论文 CHINESE PHYSICS B, 2018 作者:  Wei Mao;  Hai-Yong Wang;  Peng-Hao Shi;  Xiao-Fei Wang;  Ming Du 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/25 GALLIUM  nitride  *HETEROSTRUCTURES  *FIELD-effect  transistors  *DOPING  agents  (Chemistry)  *CHEMICAL  reduction