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II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
任敬川
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2016/06/03
II-VI族半导体
分子束外延
ZnSeTe
单晶薄膜
掺杂
PREPARATION AND PROPERTIES OF ZnSeTe ALLOY THIN FILMS BY SOLID STATE REACTIONS.
期刊论文
Chalcogenide Letters, 2016, 卷号: Vol.13 No.11, 页码: 521-528
作者:
YANG, Y.
;
HU, Y.
;
LIU, C.
;
LI, W.
;
ZHANG, J.
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/03/01
Intermediate
Band
Solar
Cell
Material
Characterization
Solid
State
Reactions
ZnSeTe
Thin
Films
_CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程
期刊论文
物理学报, 2008, 期号: 10
张振中
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/09/25
Exciton tunnelling in (CdZnTe, ZnSeTe)/ZnTe complex quantum wells
期刊论文
Acta Physica Sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 10, 页码: 6627-6630
Jin H.
;
Liu S.
;
Zhang Z. Z.
;
Zhang L. G.
;
Zheng Z. H.
;
Shen D. Z.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/10/21
DBR using the combination of II-VI and III-V materials for the application to 3-55 mum
专利
专利号: US20050243887A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
作者:
KWON, HOKI
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/31
Znte基和ZnSe基复合结构的光学性质
学位论文
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2005
作者:
金华
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/03/21
量子阱
量子点
激子隧穿
激子复合
CdZnTe和CdZnSe量子复合结构的生长及光学性质研究
学位论文
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2004
作者:
张振中
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/03/21
量子阱
量子点
藕合
隧穿
LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究
期刊论文
发光学报, 2003, 期号: 04, 页码: 371-374
王晓华
;
单崇新
;
张振中
;
张吉英
;
范希武
;
吕有明
;
刘益春
;
申德振
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/11
复合量子阱
隧穿几率
光致发光
(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减
期刊论文
发光学报, 2003, 期号: 03, 页码: 257-260
张振中
;
申德振
;
张吉英
;
单崇新
;
张立功
;
杨春雷
;
吕有明
;
刘益春
;
范希武
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/03/11
(CdZnTe
ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱
激子衰减
泵浦探测
Photoluminescence of te isoelectronic traps in znsete/znse quantum wells under hydrostatic pressure
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2002, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 28-32
作者:
Fang, ZL
;
Li, GH
;
Han, HX
;
Ding, K
;
Chen, Y
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Te isoelectronic traps
Pressure
Photoluminescence
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