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First-principles Study of Doped (Silicon, Germanium, Tin) Single-wall Carbon Nanotubes
期刊论文
Cailiao Daobao/Materials Reports, 2022, 卷号: 36, 期号: 9
作者:
Lu, Xuefeng
;
Wang, Kuan
;
Cui, Zhihong
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2022/06/20
Absorption spectroscopy
Atoms
Calculations
Semiconductor doping
Single-walled carbon nanotubes (SWCN)
Solar cells
Doped silicon
Doped systems
Electronic.structure
First principles
First-principle study
Germanium tins
Silicon germaniums (SiGe)
Single Wall
Single-wall carbon nanotube
Sn-doped
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:
张晋新1
;
王信2
;
郭红霞2,3
;
冯娟1
;
吕玲1
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2022/03/17
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
三维数值模拟
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
王利斌
;
王信
;
吴雪
;
李小龙
;
刘默寒
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2020/11/03
SiGe BiCMOS
偏置条件
电离总剂量
氧化物陷阱电荷
界面态
SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法
专利
专利号: CN109449757A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者:
舒斌
;
高玉龙
;
张利锋
;
胡辉勇
;
王斌
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/18
一种配方烟丝中膨胀烟丝全自动分离仪及其控制方法
专利
专利号: CN105910943B, 申请日期: 2019-03-01,
作者:
邓国栋
;
花昌义
;
李志刚
;
堵劲松
;
张大波
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2021/12/14
A 10-Gb/s inductorless optical receiver in 0.18-mu m SiGe BiCMOS
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2019, 卷号: 86
作者:
Xue, Zhe
;
He, Jin
;
Fang, Ya
;
Wang, Hao
;
Chang, Sheng
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/05
Optical receiver
Transimpedance amplifier (TIA)
AGC
DC offset cancellation
SiGe BiCMOS
A 10-Gb/s inductorless optical receiver in 0.18-μm SiGe BiCMOS
期刊论文
Microelectronics Journal, 2019, 卷号: 86
作者:
Xue, Zhe
;
He, Jin
;
Fang, Ya
;
Wang, Hao
;
Chang, Sheng
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/05
Design of Millimeter-Wave Bandpass Filters With Broad Bandwidth in Si-Based Technology
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1174-1181
作者:
Feng Sun
;
He Zhu
;
Xi Zhu
;
Yang Yang
;
Yichuang Sun
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/12/17
Band-pass filters
Integrated circuit modeling
Bandwidth
Sun
System-on-chip
Passband
Insertion loss
Bandpass filter (BPF)
Bi-CMOS
millimeter wave (mm-Wave)
miniaturization
on-chip resonator
radio-frequency integrated circuits (RFIC) silicon-germanium (SiGe)
wideband
基于SiGe HBT宽带低噪声放大器的设计及实现
学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者:
高保宁
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/20
硅锗异质结双极晶体管
负反馈
S参数
噪声系数
Design of 1.6-2.4 GHz Low Noise Amplifier Based on SiGe HBT
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Liu, Jing
;
Gao, Bao Ning
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/20
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