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Growth of relaxed GeSn film with high Sn content via Sn component-grade buffer layer structure 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 54, 期号: 43, 页码: 435101
作者:  Liu, Xiangquan;   Zheng, Jun;   Li, Mingming;   Wan, Fengshuo;   Niu, Chaoqun;   Liu, Zhi;   Zuo, Yuhua;   Xue, Chunlai;   Cheng, Buwen
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2022/03/28
Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire 期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 38, 页码: 11935-11941
作者:  Qi Y;  Wang YY;  Pang ZQ(庞振乾);  Dou ZP;  Wei TB
收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2018/10/30
Prioritized customer order scheduling to maximize throughput 期刊论文
EUROPEAN JOURNAL OF OPERATIONAL RESEARCH, 2016
Zhao, Yaping; Xu, Xiaoyun; Li, Haidong; Liu, Yanni
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03
An optimized method for NMR-based plant seed metabolomic analysis with maximized polar metabolite extraction efficiency, signal-to-noise ratio, and chemical shift consistency 期刊论文
ANALYST, 2014, 卷号: 139, 期号: 7, 页码: 1769-1778
作者:  Wu, Xiangyu;  Li, Ning;  Li, Hongde;  Tang, Huiru
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/06/24
Characterization of the lattice mismatched In-0.68 Ga-0.32 As Material Grown on InP substrate by MOCVD 期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 118-121
作者:  Lu, SL(陆书龙);  Ji, L(季莲);  Zhao, YM(赵勇明);  Chen, ZM
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/01/09
Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer 期刊论文
2013, 卷号: 30
作者:  Su Shao-Jian[1];  Han Gen-Quan[2];  Zhang Dong-Liang[3];  Zhang Guang-Ze[3];  Xue Chun-Lai[3]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30
Interfacial Bonding and Structure of Bi2Te3 Topological Insulator Films on Si(111) Determined by Surface X-Ray Scattering 期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2013, 卷号: 110, 期号: 22, 页码: 226103
作者:  Liu, Y;  王焕华;Wang, HH;  Bian, G;  Zhang, Z;  Lee, SS
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/04/08
Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer 期刊论文
chin. phys. lett., 2013, 卷号: 30, 期号: 11, 页码: 118501
SU Shao-Jian, HAN Gen-Quan, ZHANG Dong-Liang, ZHANG Guang-Ze, XUE Chun-Lai, WANG Qi-Ming, CHENG Bu-Wen
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2014/04/04
Strained and strain-relaxed epitaxial ge1-xsnx alloys on si(100) substrates 期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 5
作者:  Wang Wei;  Su Shao-Jian;  Zheng Jun;  Zhang Guang-Ze;  Zuo Yu-Hua
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采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
2011
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/05/17

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