|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 赵京昊
  收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2019/07/15
|
| SiO_2基底Nb原位掺杂MoS_2纳米薄膜的制备及场效应 期刊论文
2019, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 1975-1982
作者: 孙钰琨; 白波; 马美玲; 王洪伦 ; 索有瑞
收藏 | 浏览/下载：38/0 | 提交时间：2019/11/26
|
| 无膜且具有重现性的MoS场效应晶体管生物传感器用于高灵敏度和高选择性地检测FGF21 期刊论文
Science China Materials, 2019, 卷号: 第10期, 页码: 1479-1487
作者: 龚新星; 刘业茹; 向海燕; 刘航; 刘志刚
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/13 |
| 一种并联式激光器驱动电路 专利
专利号: CN207753293U, 申请日期: 2018-08-21, 公开日期: 2018-08-21
作者: 古小枫; 杨俊; 胡攀攀
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| HfO2封装对以ALD HfO2为后栅介电材料的低密度MoS2晶体管的电性能的影响 科技动态
2018
作者: yaoxn@llas.ac.cn
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| 半导体激光电源的水冷装置与半导体激光设备 专利
专利号: CN207265411U, 申请日期: 2018-04-20, 公开日期: 2018-04-20
作者: 朱宝华; 邓文; 陆业钊; 郑沅; 钟绪浪
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种MOS晶体管的制造方法 专利
专利号: CN201310713804.1, 申请日期: 2018-03-16, 公开日期: 2015-06-24
作者: 刘云飞; 尹海洲; 李睿
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/03/14 |
| 沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
作者: 崔江维; 郑齐文; 余德昭; 周航; 苏丹丹
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2018/07/06
|
| γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者: 马腾; 苏丹丹; 周航; 郑齐文; 崔江维
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2018/10/18
|
| 杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响 期刊论文
电子器件, 2018, 卷号: 41, 页码: 1367-1371
作者: 蔡剑辉[1]; 陈治西[2]; 刘晨鹤[3]; 张栋梁[4]; 刘强[5]
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/04/22
|
