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Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13
作者:  Wang, Xinhua;  Zhang, Yange;  Huang, Sen;  Yin, Haibo;  Fan, Jie
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2021/04/26
LPCVD SiNx/AlGaN/GaN MISHEMTs器件界面态与电流崩塌现象的研究 学位论文
2017
作者:  余堃
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26
Study of Interface Traps in AlGaN/GaN MISHEMTs Using LPCVD SiNx as Gate Dielectric 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 824-831
作者:  Lu, Xing;  Yu, Kun;  Jiang, Huaxing;  Zhang, Anping;  Lau, Kei May
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/26
High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2016
作者:  Liu XY(刘新宇);  Huang S(黄森);  Wang XH(王鑫华)
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/08
Effect of interface and bulk traps on the C–V characterization of a LPCVD-SiNx/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2016
作者:  Huang S(黄森);  Wang XH(王鑫华)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/08
Investigation of the interface between LPCVD-SiNx gate dielectric and III-nitride for AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文
Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016
作者:  Wang XH(王鑫华)
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/08
Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Shi, YJ;  Huang, S;  Bao, QL;  Wang, XH;  Wei, K
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11
Compatibility of AlN/SiNx Passivation With LPCVD-SiNx Gate Dielectric in GaN-Based MIS-HEMT 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 3
作者:  Hua, MY;  Lu, YY;  Liu, SH;  Liu, C;  Fu, K(付凯)
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11
Investigation of the interface traps and current collapse in LPCVD SiNx/AlGaN/GaN MISHEMTs 会议论文
作者:  Yu, Kun;  Liu, Chao;  Jiang, Huaxing;  Lu, Xing;  Lau, Kei May
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/26
Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer 期刊论文
IEEE Electron Device Letter, 2015
作者:  Chen XJ(陈晓娟);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森);  Zheng YK(郑英奎);  Wei K(魏珂)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/26

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