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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Direct Determination of Band Gap of Defects in a Wide Band Gap Semiconductor 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 卷号: 14, 期号: 32, 页码: 36875-36881 作者:  Yan, Xuexi;  Jin, Qianqian;  Jiang, Yixiao;  Yao, Tingting;  Li, Xiang 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2022/09/22 IDBs  band gap  transmission electron microscopy  electron energy-loss spectroscopy  first-principles calculations  AlN   Psychometric adaption of the impulsive driver behavior scale in a Chinese sample 会议录 作者:  CasirLion 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/12/23 Factor analysi  Reliability   Structural stability and electronic properties of the (0001) inversion domain boundary in III-nitrides 期刊论文 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 154, 页码: 152-158 作者:  Li, Siqian;  Lei, Huaping;  Anglade, Pierre-Matthieu;  Chen, Jun;  Ruterana, Pierre 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/20 Inversion domain boundary (IDB)  Group III-nitrides  DFT  Chemical bonding  Electronic structure   Polarity Control within One Monolayer at ZnO/GaN Heterointerface: (0001) Plane Inversion Domain Boundary 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 43, 页码: 37651-37660 作者:  Li, Siqian;  Lei, Huaping;  Wang, Yi;  Ullah, Md Barkat;  Chen, Jun 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2019/01/11 ZnO/GaN heterointerface  (0001) plane IDBs  polarity control  energetic stability  2DHG  2DEG   Inversion domain boundaries in MoSe2 layers 期刊论文 RSC ADVANCES, 2018, 卷号: 8, 期号: 58, 页码: 33391-33397 作者:  Truong, QD;  Hung, NT;  Nakayasu, Y;  Nayuki, K;  Sasaki, Y 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/12/25 Inversion domain boundaries in MoSe2 layers 期刊论文 RSC ADVANCES, 2018, 卷号: 8, 期号: 58, 页码: 33391-33397 作者:  Quang Duc Truong;  Nguyen Tuan Hung;  Nakayasu, Yuta;  Nayuki, Keiichiro;  Sasaki, Yoshikazu 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02