×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [5]
金属研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [4]
其他 [3]
发表日期
2020 [2]
2015 [1]
2013 [3]
2008 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Charged domain wall modulation of resistive switching with large ON/OFF ratios in high density BiFeO3 nano-islands
期刊论文
ACTA MATERIALIA, 2020, 卷号: 187, 页码: 12-18
作者:
Han, M. J.
;
Tang, Y. L.
;
Wang, Y. J.
;
Zhu, Y. L.
;
Ma, J. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2021/02/02
Resistive switching behavior
Charged domain walls
Conductive filament mode
Transmission electron microscopy
Piezoresponse force microscopy
Charged domain wall modulation of resistive switching with large ON/OFF ratios in high density BiFeO3 nano-islands
期刊论文
ACTA MATERIALIA, 2020, 卷号: 187, 页码: 12-18
作者:
Han, M. J.
;
Tang, Y. L.
;
Wang, Y. J.
;
Zhu, Y. L.
;
Ma, J. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2021/02/02
Resistive switching behavior
Charged domain walls
Conductive filament mode
Transmission electron microscopy
Piezoresponse force microscopy
Multilevel resistive switching in Ag/SiO2/Pt resistive switching memory device
期刊论文
日本应用物理学杂志, 2015
Liu, Lifeng
;
Yu, Di
;
Ma, Wenjia
;
Chen, Bing
;
Zhang, Feifei
;
Gao, Bin
;
Kang, Jinfeng
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/10
RRAM
A Physics-Based Compact Model of Metal-Oxide-Based RRAM DC and AC Operations
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2013
Huang, Peng
;
Liu, Xiao Yan
;
Chen, Bing
;
Li, Hai Tong
;
Wang, Yi Jiao
;
Deng, Ye Xin
;
Wei, Kang Liang
;
Zeng, Lang
;
Gao, Bin
;
Du, Gang
;
Zhang, Xing
;
Kang, Jin Feng
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/10
Circuit simulation
compact model
conduction of resistive-switching random access memory (RRAM)
conductive filament&apos
parasitic effect
pulse mode
resistive switching
RESISTIVE-SWITCHING MEMORIES
DEVICE
s evolution
Multi-level Resistive Switching Characteristics Correlated With Microscopic Filament Geometry in TMO-RRAMl
其他
2013-01-01
Chen, B.
;
Kang, J. F.
;
Huang, P.
;
Deng, Y. X.
;
Gao, B.
;
Liu, R.
;
Zhang, F. F.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Tran, X. A.
;
Yu, H. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Multi-level resistive switching characteristics correlated with microscopic filament geometry in TMO-RRAM
其他
2013-01-01
Chen, B.
;
Kang, J.F.
;
Huang, P.
;
Deng, Y.X.
;
Gao, B.
;
Liu, R.
;
Zhang, F.F.
;
Liu, L.F.
;
Liu, X.Y.
;
Tran, X.A.
;
Yu, H.Y.
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Resistive Switching Behaviors and Mechanism of Transition Metal Oxides-Based Memory Devices
其他
2008-01-01
Kang, J. F.
;
Sun, B.
;
Gao, B.
;
Xu, N.
;
Sun, X.
;
Liu, L. F.
;
Wang, Y.
;
Liu, X. Y.
;
Han, R. Q.
;
Wang, Y. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/11/10
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace