QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 陈翔 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/06/05 AlN  MOCVD  纳米图形化侧向外延  AlGaN基深紫外激光器  光泵浦激射  纳米压印光刻技术  AlGaN纳米柱   AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 田迎冬 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2016/06/01 AlN  AlGaN 基深紫外 LED  AlGaN 基紫外 Laser  AlN 纳米柱  半极性面纳米锥   InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 102201516A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2014-01-20 作者:  程国胜 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/01/20 一种GaN衬底的制备方法 专利 专利号: CN102201332A, 申请日期: 2011-09-28, 公开日期: 2011-09-28 作者:  于彤军;  龙浩;  张国义;  吴洁君;  贾传宇 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化镓基圆盘式单色光源列阵 专利 专利号: CN100401544C, 申请日期: 2008-07-09, 公开日期: 2008-07-09 作者:  陆卫;  王少伟;  夏长生;  李志锋;  张波 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26