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| 中红外GaSb基窄线宽激光器制备的研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 罗皓
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/05/29
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| 单根氧化锌微米线基电致发光研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者: 何高航
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2019/09/23
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| 中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
柴小力
收藏 | 浏览/下载：41/0 | 提交时间：2017/05/31
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| 含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法 专利
专利号: CN106300014A, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04
作者: 于春满; 朱海军; 张兴
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构能谱及其调控 学位论文
: 湖南大学, 2017
作者: 廖高华
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/26
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| 锑化镓基半导体激光器高效率光束整形（英文） 期刊论文
红外与毫米波学报, 2016, 期号: 6, 页码: 652-655
作者: 吴昊; 彭航宇; 宁永强; 王立军
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/09/17
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| 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 专利
专利号: CN106099643A, 申请日期: 2016-11-09, 公开日期: 2016-11-09
作者: 于春满; 朱海军; 张兴
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| GaSb单晶衬底表面形貌及残留缺陷研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
程雨
收藏 | 浏览/下载：50/0 | 提交时间：2015/05/29
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| 锑化镓量子点的液相外延制备方法 专利
专利号: 201110316126.6, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20
作者: 1 胡淑红 2 戴宁
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2013/12/20 |
| 溴化镧与锑化镓中的点缺陷行为研究 学位论文
2013
作者: 周桂芳
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/05
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