一种半导体器件及其制造方法

	一种半导体器件及其制造方法
	唐兆云; 杨萌萌; 许静; 王红丽; 唐波; 徐烨锋; 闫江
	2018-09-11
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410479915.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第一区域和第二区域的第二半导体层上形成器件结构；刻蚀第一区域的器件结构两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除第一区域的至少栅极下的第一半导体层，以形成空腔，仅剩余隔离结构附近的第一半导体层；在空腔及刻蚀孔中填充介质材料。本发明可以实现通过体衬底实现绝缘体上硅器件，同时，埋氧层的厚度可以通过形成的第一半导体层的厚度来调节，满足不同器件的需求，工艺简单易行，且该工艺易于同体衬底器件集成。
公开日期	2016-04-13
申请日期	2014-09-18
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18834]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	唐兆云,杨萌萌,许静,等. 一种半导体器件及其制造方法. CN201410479915.5. 2018-09-11.