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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷 期刊论文 物理学报, 1985, 期号: 12, 页码: 1627-1633 作者:  王淑英;  季国坤;  侯耀永;  李理 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/04/27 疲劳过程:4992  空位团:4445  正电子湮没技术:3855  纯镍:3233  割阶:2834  多晶体:2827  晶体缺陷:2255  正电子湮没寿命谱:1935  位错:1676  疲劳试样:1520