|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者: 申德振
  收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2022/06/29 |
| 宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者: 申德振
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2022/06/13 |
| 氧化镓肖特基二极管模拟及材料表征分析 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 李志鹏
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2021/06/21 |
| 镓基液态金属的润滑性能研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2020
作者: 郭杰
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2021/04/13
|
| 氧化镓衬底GaN外延及其垂直结构LED 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 郦伟江
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2020/08/05 |
| 一种制备氧化锌微米管的方法 专利
专利号: 2015104931632, 申请日期: 2020-03-31,
作者: 王亮; 陆文强; 冯双龙; 李昕; 李振湖
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/08/25 |
| 第三代半导体材料发展态势分析 专著
北京:电子工业出版社, 2020
作者: 王丽; 沈湘; 于杰平; 金瑛; 滕飞
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2021/11/04
|
| 具有限制区域的含镓和氮的激光装置 专利
专利号: CN104836118B, 申请日期: 2019-10-22, 公开日期: 2019-10-22
作者: 波·山·许; 迈尔文·麦克劳林; 詹姆斯·W·拉林; 亚历山大·斯特蔡恩; 本亚明·布勒
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2019/12/23 |
| 等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法 专利
专利号: CN110176398A, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者: 张鹏 ; 许聪基; 赖铭智
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| GaN基激光器及其制备方法 专利
专利号: CN107204567B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
作者: 赵德刚; 梁锋
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2019/12/26 |
