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科研机构
兰州大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1980 [1]
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金与SiO_2—Si界面处结构缺陷的互作用
期刊论文
兰州大学学报, 1980, 期号: 4, 页码: 40-50
作者:
李思渊
;
李寿嵩
;
张秀文
;
孟益民
;
柳南辉
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提交时间:2015/04/27
结构缺陷:7868
硅离子:3619
Si界面:2923
非正常价态:2212
互作用:2121
氧离子空位:1404
悬空键:1327
界面效应:1298
正电荷:938
氧化反应:862
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