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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究 期刊论文 半导体光电, 2020, 卷号: 41, 期号: 02, 页码: 169-172 作者:  曲杨;  王欣洋;  周泉;  常玉春 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06 时间延时积分  CMOS  光晕  横向抗晕栅  满阱容量