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锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄文奇
收藏  |  浏览/下载:69/0  |  提交时间:2016/06/02
InGaN太阳能电池的制备及特性研究 学位论文
2013, 2013
蔡晓梅
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2016/01/13
InGaN太阳能电池的制备及特性研究 学位论文
2013, 2013
雷廷平
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2014/04/08
一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体P型欧姆电极 专利
专利号: CN2847534Y, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
作者:  王国栋;  曹均凯;  谢春梅
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26
III族氮化物半导体衬底材料的制备研究 学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2005
作者:  彭观良
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MOVPE生长Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N的准热力学模型(英文) 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 677
陆大成; 段树坤
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/11/23
化学计量学方法在材料科学与工程若干问题中的应用 学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海冶金研究所)  , 1998
张兆春
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Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物替代特征研究 学位论文
: 四川大学
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