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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaN外延层和纳米线的制备及表征 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 林朝通 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/06 氮化镓  纳米线  场发射  纳米掩膜  原位腐蚀   GaN外延层与纳米线的制备及表征 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 林朝通 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/06 氮化镓  　纳米线  　场发射  　纳米掩膜  　原位腐蚀　   采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101229912, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30 王新中; 于广辉; 雷本亮; 林朝通; 王笑龙; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2012/01/06 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101220466, 申请日期: 2008-07-16, 公开日期: 2008-07-16 林朝通; 于广辉; 雷本亮; 王新中; 王笑龙; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06