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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种基于红外探测器质子位移效应的低温辐照试验测试方法 专利 申请日期: 2020-06-19, 作者:  周东;  李豫东;  文林;  冯捷;  郭旗 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/11/25 0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应 期刊论文 红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 183-188 作者:  蔡毓龙1,2,3;  李豫东1,3;  文林1,3;  冯婕3,1;  郭旗3,1 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/12/04 CMOS图像传感器  单粒子效应  累积辐射效应  质子   CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理 期刊论文 红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 5, 页码: 101-107 作者:  冯婕;  李豫东;  文林;  郭旗 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/06/23 星敏感器  CMOS图像传感器  辐射损伤  性能退化   不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应 期刊论文 红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 316-320 作者:  马林东;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/11/19 Cmos有源像素传感器  总剂量效应  暗电流   3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：193/0  |  提交时间：2016/09/27 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固   3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/09/27 Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固   Mg、Al、Fe共掺杂的Mn-Co-Ni-O基NTC热敏电阻材料的制备与性能研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014 作者:  夏军波 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2014/08/05 NTC  热敏电阻  微乳液法  尖晶石  陶瓷  晶粒电阻   Mg、Al、Fe共掺杂的Mn-Co-Ni-O基NTC热敏电阻材料的制备与性能研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2014 作者:  夏军波 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2014/08/05 Ntc  热敏电阻  微乳液法  尖晶石  陶瓷  晶粒电阻