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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种高线性度宽带可编程增益放大器 期刊论文 电子技术应用, 2016 作者:  刘欣;  刘昱;  王小松;  张海英;  柯强 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/08 在常温下检测气体的基于柔性衬底的敏感膜的制备方法 专利 专利号: CN201210558635.4, 申请日期: 2015-01-21, 公开日期: 2013-04-10 作者:  李冬梅;  詹爽;  梁圣法;  陈鑫;  李小静 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/09/12 非挥发存储器的制备方法 专利 专利号: CN200810223341.X, 申请日期: 2010-01-20, 公开日期: 2009-04-01 作者:  李维龙;  朱晨昕;  贾锐;  陈晨;  李昊峰 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26 一种全差动增益增强型跨导运算放大器 期刊论文 现代电子技术, 2008, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 3，79-81 作者:  吴晓雷;  龚敏;  陈岚 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/27 跨导运算放大器  增益增强  全差动  开关电容共模反馈   钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 5，329-333 作者:  李诚瞻;  刘丹;  郑英奎 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/27 Algan/gan  Hemts  钝化  表面预处理  初始氧化层