非挥发存储器的制备方法

	非挥发存储器的制备方法
	李维龙; 朱晨昕; 贾锐; 陈晨; 李昊峰; 王琴; 刘明
	2010-01-20
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200810223341.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层；在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以及进行源、漏区掺杂，并进行源、漏电极的形成工序。本发明提供的三端增强型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器的制备方法工艺过程简单，制备成本低，有利于大规模集成。
公开日期	2009-04-01
申请日期	2008-09-26
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7886]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李维龙,朱晨昕,贾锐,等. 非挥发存储器的制备方法. CN200810223341.X. 2010-01-20.