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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2008 [1]
学科主题
半导体化学 [1]
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Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (100) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD
期刊论文
applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 part 2
Zhou ZW
;
Cai ZM
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
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提交时间:2010/03/08
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