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半导体研究所 [20]
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期刊论文 [20]
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2008 [1]
2007 [1]
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学科主题
光电子学 [20]
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学科主题:光电子学
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Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer structure
期刊论文
materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265
作者:
Xue CL
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浏览/下载:63/4
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提交时间:2011/07/05
Multilayers
Inorganic compounds
Sputtering
Optical properties
DOPED SI/SIO2 SUPERLATTICES
ERBIUM SILICATE
ER3+
LUMINESCENCE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
Omnidirectional absorption enhancement in hybrid waveguide-plasmon system
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 26, 页码: 261101
Zhang J
;
Bai WL
;
Cai LK
;
Chen X
;
Song GF
;
Gan QQ
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/02/06
ARRAYS
FILMS
LIGHT
Investigation of flexible electrodes modified by TiN, Pt black and IrO (x)
期刊论文
science china-technological sciences, 2011, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 2305-2309
Li XQ
;
Pei WH
;
Tang RY
;
Gui Q
;
Guo K
;
Wang Y
;
Chen HD
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  |  
浏览/下载:16/0
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提交时间:2011/09/14
IRIDIUM OXIDE
STIMULATION
INTERFACES
SYSTEM
FILMS
ARRAY
Infrared response of the lateral PIN structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 106104
Ma, ZH
;
Cao, Q
;
Zuo, YH
;
Zheng, J
;
Xue, CL
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2012/02/06
infrared response
ion implantation
rapid thermal annealing
intermediate band solar cell
PHOTODIODE
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜
期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文
;
贺敬凯
;
李成
;
余金中
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/07/17
A new method to measure the carrier concentration of p-GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: article no.37804
Zhou M
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:66/7
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提交时间:2011/07/05
p-GaN
carrier concentration measurement
ultraviolet photodetector
LASER-DIODES
FILMS
Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804
Lu GJ (Lu Guo-Jun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:110/2
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提交时间:2010/04/22
metalorganic chemical vapor deposition
Al1-xInxN
gradual variation in composition
optical reflectance spectra
X-RAY-DIFFRACTION
PHASE EPITAXY
RELAXATION
FILMS
HETEROSTRUCTURES
SEPARATION
DYNAMICS
ALLOYS
REGION
LAYERS
Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n(+) structure GaN ultraviolet photodetector
期刊论文
: journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 492, 期号: 1-2, 页码: 300-302
作者:
Zhu JJ
;
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:231/10
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提交时间:2010/04/13
Nitride materials
Photoconductivity and photovoltaics
Computer simulations
FILMS
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Hao XP (Hao Xiao-Peng)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Wei L (Wei Long)
收藏
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浏览/下载:73/2
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提交时间:2010/05/24
Ga vacancies
MOCVD
GaN
Schottky barrier photodetector
REVERSE-BIAS LEAKAGE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-N-JUNCTIONS
POSITRON-ANNIHILATION
DIODES
FILMS
The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:88/41
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRON-TRANSPORT
BAND-GAP
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