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| Light beam generating device 专利
专利号: JP1987226111A, 申请日期: 1987-10-05, 公开日期: 1987-10-05
作者: KITAJIMA HIROSHI; YOSHIDA TOMIAKI; NAKATSUKA NOBUO
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| Semiconductor device with distributed bragg reflector 专利
专利号: JP1987189785A, 申请日期: 1987-08-19, 公开日期: 1987-08-19
作者: AKIBA SHIGEYUKI; USAMI MASASHI; NODA YUKIO; SUZUKI MASATOSHI
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| Buried type semiconductor laser device 专利
专利号: JP1987179788A, 申请日期: 1987-08-06, 公开日期: 1987-08-06
作者: TAKAHASHI SATOSHI
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1987172780A, 申请日期: 1987-07-29, 公开日期: 1987-07-29
作者: YOSHIDA JUNICHI; NAKANO YOSHINORI; UEHARA SHINGO
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| Optical semiconductor device 专利
专利号: JP1987140484A, 申请日期: 1987-06-24, 公开日期: 1987-06-24
作者: NAKANO HIROYUKI; SASAKI SHINYA; TANAKA KATSUKI; IMOTO KATSUYUKI; MAEDA MINORU
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| Manufacture of photo-semiconductor element with optical guide 专利
专利号: JP1987090994A, 申请日期: 1987-04-25, 公开日期: 1987-04-25
作者: MURATA SHIGERU
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| 离子注入半导体的快速热退火与SOI技术 期刊论文
核技术, 1987, 期号: 01
林成鲁
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| CHARACTERIZATION OF SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES PRODUCED BY NITROGEN ION-IMPLANTATION 期刊论文
institute of physics conference series, 1987, 期号: 87, 页码: 421-426
FAN TW; YUAN J; BROWN LM
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/11/15 |
