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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1990310985A, 申请日期: 1990-12-26, 公开日期: 1990-12-26
作者:  KATSUYAMA TSUKURU
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Manufacturing method of semiconductor laser with non-absorbing mirror structure 专利
专利号: EP0373933A3, 申请日期: 1990-12-12, 公开日期: 1990-12-12
作者:  ISHIKAWA, MASAYUKI INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION;  OKUDA, HAJIME INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION;  SHIOZAWA, HIDEO INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION;  ITAYA, KAZUHIKO INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION;  WATANABE, YUKIO INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1990296385A, 申请日期: 1990-12-06, 公开日期: 1990-12-06
作者:  HASHIMOTO AKIHIRO;  FUKUNAGA TOSHIAKI;  WATANABE NOZOMI
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PREPARATION AND CRYSTAL-STRUCTURE OF DIAQUABIS(1,8-NAPHTHYRIDINE-N-MONOXIDE)NICKEL(II)NITRATE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTALLOGRAPHIC AND SPECTROSCOPIC RESEARCH, 1990, 卷号: 20, 期号: 6
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收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2014/12/05
Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1990283087A, 申请日期: 1990-11-20, 公开日期: 1990-11-20
作者:  YURI MASAAKI;  OTA KAZUNARI
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser 专利
专利号: JP1990281680A, 申请日期: 1990-11-19, 公开日期: 1990-11-19
作者:  UNOSAWA HIROKIYO
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser 专利
专利号: JP1990275689A, 申请日期: 1990-11-09, 公开日期: 1990-11-09
作者:  HINO ISAO
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
Ga_(1-x)Al_xAs光学声子形变势研究 期刊论文
1990
王仁智; 黄美纯
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STRUCTURE AND STEREOCHEMISTRY OF PSEUDOLAROLIDE-I, A NOVEL CYTOTOXIC PEROXYTRITERPENE DILACTONE FROM PSEUDOLARIX-KAEMPFERI 期刊论文
HETEROCYCLES, 1990, 卷号: 31, 期号: 11, 页码: 1903-1906
作者:  CHEN, GF;  LI, ZL;  TANG, CM;  XIANG, H;  KE, C
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/01/08
Etching of algainp crystal 专利
专利号: JP1990260636A, 申请日期: 1990-10-23, 公开日期: 1990-10-23
作者:  SHONO MASAYUKI;  HONDA MASAHARU;  HAMADA HIROYOSHI
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