Ga_(1-x)Al_xAs光学声子形变势研究; STUDY OF OPTIC AL-PHONON DEFORMATION POTENTIALS IN Ga_(1-x)Al_xAs | |
王仁智 ; 黄美纯 | |
1990-11 | |
英文摘要 | 【中文摘要】 本文用LMTO-ASA能带技术结合新的虚晶近似处理方法和冻结声子模型,计算了三元合金Ga_(1-x)Al_xAsΓ点的光学声子形变势(ODP)do及v轴上ODP的d_(30),d_(10)(val)和d_(10)(cond),预言了它们作为Al组分x的函数关系,发现这些ODP都可用x的二次方程表示,其中d_0随x增加而减小的弯曲参数很小,是近乎线性的,理论预言了x≈0.65处d_(10)(val)=d_(10)(cond),因而d_(30)/d_(10)比值在此组分下发散。表明在此组分下,Ga_(1-x)Al_xAs体系的二带项对E_1—E_1+△_1能隙的一级共振Raman散射的贡献可以被忽略。 【英文摘要】 The optical-phonon deformation potentials (ODP's) of the tranary compounds Ga1-xAlxAs have been calculated by LMTO-ASA band structure technique combining with a virtual crystal approximation and a frozen-phonon model. The ODP's as a function of the Al composition x has been predicted. We find that the ODP's d0,d30,d10(val)and d10(cond) can be expressed as a quadratic equation of the compositions. Among them a small bending parameter is only connected with the do vs x, showing it to be a nearly linear depend...; 国家自然科学基金资助的课题;福建省自然科学基金资助的课题 |
语种 | 中文 |
出版者 | 《物理学报》编辑部 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9834] |
专题 | 物理技术-已发表论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王仁智,黄美纯. Ga_(1-x)Al_xAs光学声子形变势研究, STUDY OF OPTIC AL-PHONON DEFORMATION POTENTIALS IN Ga_(1-x)Al_xAs[J],1990. |
APA | 王仁智,&黄美纯.(1990).Ga_(1-x)Al_xAs光学声子形变势研究.. |
MLA | 王仁智,et al."Ga_(1-x)Al_xAs光学声子形变势研究".(1990). |
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