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| Semiconductor laser element 专利 专利号: JP1981091490A, 申请日期: 1981-07-24, 公开日期: 1981-07-24 作者: YAMAMOTO SABUROU; YANO MORICHIKA; KURATA YUKIO; MATSUI KANEKI; HAYAKAWA TOSHIROU 收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| - 专利 专利号: JP1981025774B2, 申请日期: 1981-06-15, 公开日期: 1981-06-15 作者: - 收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Method of fabricating periodic monolayer semiconductor structures by molecular beam epitaxy 专利 专利号: US4261771, 申请日期: 1981-04-14, 公开日期: 1981-04-14 作者: DINGLE, RAYMOND; GOSSARD, ARTHUR C.; PETROFF, PIERRE M.; WIEGMANN, WILLIAM 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| Manufacture of semiconductor laser 专利 专利号: JP1981024995A, 申请日期: 1981-03-10, 公开日期: 1981-03-10 作者: MUROTANI TOSHIO; OOMURA ETSUJI; ISHII JIYUN 收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| THE CRYSTAL-STRUCTURE OF CADMIUM SALT OF ETHYLENEDIAMINETETRAACETIC ACID 期刊论文 化学学报, 1981 ZHANG, ZY; SHAO, MC; JIN, XL 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/11/13 |
| Ag_2CINO_3的晶体结构 其他 1981-01-01 周公度; 伍伯牧 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2015/10/24
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