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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photon-number correlations in waveguide lattices with second order coupling 期刊论文 journal of optics, 2014, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 125007 Qi, F.; Feng, Z. G.; Wang, Y. F.; Xu, P.; Zhu, S. N.; Zheng, W. H. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/03/19 Effects of matrix layer composition on the structural and optical properties of self-organized InGaN quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 9, 页码: 093105 Z. C. Li, J. P. Liu, M. X. Feng, K. Zhou, S. M. Zhang, H. Wang, D. Y. Li, L. Q. Zhang, Q. Sun, D. S. Jiang, H. B.Wang, and H. Yang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2014/04/30 High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 043508 M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/04/09 Low temperature characteristics of algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Qiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Spatial hole burning degradation of algaas/gaas laser diodes 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Qiao, Y. B.;  Feng, S. W.;  Xiong, C.;  Wang, X. W.;  Ma, X. Y. 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Carrier density  Cathodoluminescence  Gallium arsenide  Iii-v semiconductors  Optical hole burning  Optical microscopy  Quantum well lasers  Semiconductor epitaxial layers  X-ray diffraction   The transport mechanism of gate leakage current in algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Jiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure 期刊论文 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Bi, Y.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Peng, E. C. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101 Lin DF (Lin D. F.); Wang XL (Wang X. L.); Xiao HL (Xiao H. L.); Wang CM (Wang C. M.); Qiang LJ (Qiang L. J.); Feng C (Feng C.); Chen H (Chen H.); Hou QF (Hou Q. F.); Deng QW (Deng Q. W.); Bi Y (Bi Y.); Kang H (Kang H.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/02/21 1.3 mu m gain coupled dfb laser with ingaalas mqw grown on absorptive ingaasp corrugation 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 859-862 作者:  Feng, W.;  Pan, J. Q.;  Wang, L.;  Liao, Z. Y.;  Cheng, Y. B. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Selective growth of absorptive ingaasp layer on inp corrugation for a buried grating structure 期刊论文 Applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 1, 页码: 3 作者:  Feng, W.;  Pan, J. Q.;  Cheng, Y. B.;  Liao, Z. Y.;  Wang, B. J. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12