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山东大学 [29]
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期刊论文 [29]
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Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2019, 卷号: 129, 页码: 54-60
作者:
Zhu, Gengchang
;
Liang, Guangda
;
Zhou, Yang
;
Chen, Xiufang
;
Xu, Xiangang
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  |  
浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/12/11
Reactive evaporation
SiOx
Passivation
GaN
HEMTs
Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors
期刊论文
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2019, 卷号: 129, 页码: 54-60
作者:
Zhu, Gengchang
;
Liang, Guangda
;
Zhou, Yang
;
Chen, Xiufang
;
Xu, Xiangang
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/12/11
Oxide-Based Complementary Inverters With High Gain and Nanowatt Power Consumption
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 1676-1679
作者:
Yuan, Yuzhuo
;
Yang, Jin
;
Hu, Zhenjia
;
Li, Yunpeng
;
Du, Lulu
收藏
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Complementary inverter
indium gallium zinc oxide (InGaZnO or IGZO)
tin
monoxide (SnO)
low-power
high gain
ring oscillator (RO)
thin-film
transistor (TFT)
Ambipolar SnOxthin-film transistors achieved at high sputtering power
期刊论文
Applied Physics Letters, 2018, 卷号: 112, 期号: 18
作者:
Li, Yunpeng
;
Yang, Jia
;
Qu, Yunxiu
;
Zhang, Jiawei
;
Zhou, Li
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/11
All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1876-1879
作者:
Yang, Jin
;
Yuan, Yuzhuo
;
Li, Yunpeng
;
Du, Lulu
;
Wang, Yiming
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  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Static random access memory (SRAM)
complementary inverter
indium
gallium zinc oxide (InGaZnO or IGZO)
tin monoxide (SnO)
thin-film
transistor (TFT)
A unipolar nano-diode detector with improved performance using the high-k material SiN x
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2018, 卷号: 33, 期号: 11
作者:
Zhang, Linqing
;
Zhou, Haiping
;
Zhang, Jiawei
;
Wang, Qingpu
;
Zhang, Yifei
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
Chalcogen passivation: an in-situ method to manipulate the morphology and electrical property of GaAs nanowires
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8
作者:
Yang, Zai-xing
;
Yin, Yanxue
;
Sun, Jiamin
;
Bian, Luozhen
;
Han, Ning
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/11
Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 208-211
作者:
Li, Yunpeng
;
Yang, Jin
;
Wang, Yiming
;
Ma, Pengfei
;
Yuan, Yvzhuo
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/11
Complementary inverter
logic gates
ring oscillator
tin monoxide
(SnO)
indium-gallium-zinc-oxide (IGZO)
thin-film transistor (TFT)
Ambipolar SnOx thin-film transistors achieved at high sputtering power
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 18
作者:
Li, Yunpeng
;
Yang, Jia
;
Qu, Yunxiu
;
Zhang, Jiawei
;
Zhou, Li
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/11
Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO With High Uniformity
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 516-519
作者:
Yang, Jin
;
Wang, Yiming
;
Li, Yunpeng
;
Yuan, Yuzhuo
;
Hu, Zhenjia
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/11
Complementary inverter
indium gallium zinc oxide (IGZO)
tin monoxide
(SnO)
thin-film transistor (TFT)
uniformity
static voltage gain
noise margin
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