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Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells 会议论文
作者:  Zhentao Li;  Zheng ZS(郑中山);  Zhao K(赵凯);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊)
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/13
Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Jing Zhang;  Zhao C(赵超)
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/05/20
Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Zhang J(张静);  Zhao C(赵超)
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/20
Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Zhang J(张静);  Zhao C(赵超)
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/20
The total ionizing dose effect of magnetometers system based on tunneling magnetoresistance sensor 会议论文
作者:  Li Huang;  Tianyang Zhang;  Bo Li;  Yu Zhang;  Yuhong Zhao
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/10
An effective method to compensate total ionizing dose-induced degradation on double-SOI structure 期刊论文
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018
作者:  Zheng ZS(郑中山);  Luo JJ(罗家俊);  Li BH(李彬鸿);  Han ZS(韩郑生);  Zhao X(赵星)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/27
Back gate impact on SEU Characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM 会议论文
作者:  Gao JT(高见头);  Li BH(李彬鸿);  Huang Y(黄杨);  Li B(李博);  Zhao FZ(赵发展)
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/09
Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET 期刊论文
Chinese Physics B, 2017
作者:  Yan WW(闫薇薇);  Gao LC(高林春);  Li XJ(李晓静);  Zhao FZ(赵发展);  Ceng CB(曾传滨)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/05/16
Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFET 期刊论文
IEEE Transactrions on Elelctron Diveces, 2017
作者:  Wang SK(王盛凯);  Han K(韩楷);  Wang WW(王文武);  Ye TC(叶甜春);  Zhao C(赵超)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/09
Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM 会议论文
作者:  Zhang HY(张宏远);  Wang LF(王林飞);  Liu HN(刘海南);  Chen LK(陈丽坤);  Zhou YL(周月琳)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/19

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