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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gate Bias Dependence of Complex Random Telegraph Noise Behavior in 65-nm NOR Flash Memory 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015 作者:  Jin L(靳磊);  Liu M(刘明);  Jiang DD(姜丹丹);  Huo ZL(霍宗亮);  Wang Y(王艳) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/05/24 A 65nm 1Gb NOR Floating-gate Flash Memory with Less than 50ns Access time 期刊论文 Chinese Science bulletin, 2014, 期号: 29, 页码: 3935-3942 作者:  Liu M(刘明);  Wang Y(王瑜);  Huo ZL(霍宗亮) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/04/13 Effects of Interfacial Fluorination on Performance Enhancement of High-k-Based Charge Trap Flash Memory 期刊论文 Japanese journal of applied physics, 2013 作者:  Wang CJ(王晨杰);  Huo ZL(霍宗亮);  Liu M(刘明) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/10/22 Investigation of charge loss mechanism of thickness-scalable trapping layer by variable temperature Kelvin probe force microscopy 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2013 作者:  Wang Y(王永);  Huo ZL(霍宗亮);  Liu M(刘明) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/10/22 A simple and accurate method for measuring program/erase speed in a memory capacitor structure 期刊论文 Chinese Physics B, 2013 作者:  Liu M(刘明);  Huo ZL(霍宗亮);  Wang Y(王永);  Yu ZA(余兆安) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2014/10/22