×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
微电子研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2018 [3]
2017 [2]
2015 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
专题:微电子研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:
Wang YR(王艳蓉)
;
Xiang JJ(项金娟)
;
Yang H(杨红)
;
Jing Zhang
;
Zhao C(赵超)
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2019/05/20
Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者:
Wang YR(王艳蓉)
;
Xiang JJ(项金娟)
;
Yang H(杨红)
;
Zhang J(张静)
;
Zhao C(赵超)
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2019/05/20
Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:
Wang YR(王艳蓉)
;
Xiang JJ(项金娟)
;
Yang H(杨红)
;
Zhang J(张静)
;
Zhao C(赵超)
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2019/05/20
Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017
作者:
Ye TC(叶甜春)
;
Zhou LX(周丽星)
;
Wang XL(王晓磊)
;
Ma XL(马雪丽)
;
Xiang JJ(项金娟)
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2018/07/09
Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition
期刊论文
Chin. Phys. B, 2017
作者:
Wang XL(王晓磊)
;
Xiang JJ(项金娟)
;
Yang H(杨红)
;
Ma XL(马雪丽)
;
Zhu HL(朱慧珑)
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2018/06/08
Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
作者:
Zhao YY(赵玉印)
;
He XB(贺晓彬)
;
Gao JF(高建峰)
;
Xu Q(徐强)
;
Li JJ(李俊杰)
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2016/05/31
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace