QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Compact Model for Drift and Diffusion Memristor Applied in Neuron in circuit design 期刊论文 IEEE transactions on electron devices, 2018 作者:  Zhao Y(赵莹);  Fang C(方聪);  Zhang XM(张续猛);  Gong TC(龚天成);  Xu XX(许晓欣) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/04/18 Self-Rectifying and Forming-Free Resistive-Switching Device for Resistive-Switching Device for 期刊论文 IEEE Electron Device Letter, 2018 作者:  Luo Q(罗庆);  Zhang XM(张续猛);  Hu Y(胡媛);  Gong TC(龚天成);  Xu XX(许晓欣) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/10 BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 会议论文 作者:  Lv HB(吕杭炳);  Xu XX(许晓欣);  Yuan P(袁鹏);  Dong DN(董大年);  Gong TC(龚天成) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/07/26 Investigation of LRS dependence on the retention of HRS in CBRAM 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2015 作者:  Lv HB(吕杭炳);  Xu XX(许晓欣);  Liu HT(刘红涛);  Luo Q(罗庆);  Gong TC(龚天成) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/05/24